Đá Gan Gà: Tại sao Nó Lại Là Chìa Khóa Quan Trọng Trong Công Nghệ 5G?
Đá Gan Gà, hoặc còn được biết đến với tên khoa học là Nitride Gallium (GaN), là một loại vật liệu半 dẫn thế hệ thứ ba, đang dần trở thành chìa khóa quan trọng trong việc phát triển và triển khai công nghệ 5G. Với những đặc điểm vượt trội về hiệu suất, độ tin cậy và khả năng tích hợp, GaN đã và đang đóng vai trò then chốt trong việc đáp ứng các yêu cầu khắt khe của mạng 5G.
Giới Thiệu Về GaN
GaN là một hợp chất cực kỳ ổn định và có độ cứng cao, với điểm nóng chảy khoảng 1700°C. Nó có điện离 độ cao nhất trong nhóm các hợp chất -III, đạt 0.5 hoặc 0.43. GaN thường có cấu trúc tinh thể dạng sợi kim loại ở áp suất không khí.
Phát Triển và Ứng Dụng Của GaN
GaN đã có từ những năm 1970, khi Công ty Radio Corporation of America (RCA) đã phát triển một quy trình để sản xuất LED bằng GaN. Từ những năm 1990, LED dựa trên GaN đã trở thành công nghệ chính trong ngành LED. Hiện nay, nhiều LED trên thị trường đều sử dụng công nghệ GaN với lớp nền là sapphire.
Ngoài ra, GaN cũng được sử dụng trong các thiết bị bán dẫn công suất và射频. Các chip công suất dựa trên GaN đang dần chiếm lĩnh thị trường. Năm 2010, IR đã投放 thị trường thiết bị công suất GaN đầu tiên. Từ năm 2014 trở đi, GaN HEMT 600V đã trở thành loại thiết bị GaN phổ biến. Năm 2014, ngành công nghiệp lần đầu tiên thành công trong việc phát triển các thiết bị GaN trên lớp nền SiC 8 inch.
Ưu Điểm Của GaN Trong Lĩnh Vực Điện Tử
GaN mang lại nhiều ưu điểm trong lĩnh vực điện tử, đặc biệt là trong lĩnh vực điện tử công suất và射频.
Hiệu suất cao và thấp损耗: GaN có độ rộng bandgap là 3 lần so với Si và điện trường phá hủy là 10 lần so với Si. Do đó, điện trở dẫn của các thiết bị công suất GaN tương đương với điện trở dẫn của các thiết bị công suất Si thấp hơn 3orders of magnitude, giảm thiểu đáng kể tổn thất trong quá trình chuyển mạch.
Độ dẫn thấp: Do độ rộng bandgap và điện trường phá hủy cao, điện trở dẫn của các thiết bị công suất GaN thấp hơn so với các thiết bị công suất Si, giảm thiểu tổn thất trong quá trình dẫn.
Độ dẫn nhanh: GaN có điện trở dẫn thấp và điện trường phá hủy cao, do đó, tốc độ chuyển mạch của GaN nhanh hơn so với Si, nâng cao hiệu suất của mạch điện.
Ứng Dụng Trong Công Nghệ 5G
Trong bối cảnh phát triển của công nghệ 5G, GaN được coi là một loại vật liệu半 dẫn lý tưởng. So với các công nghệ bán dẫn thế hệ trước, GaN có nhiều ưu điểm vượt trội hơn.
Độ bền cao và khả năng tích hợp: GaN có khả năng tích hợp cao và độ bền cao, có thể đáp ứng các yêu cầu khắt khe của mạng 5G.
Hiệu suất cao và thấp损耗: GaN có hiệu suất cao và thấp损耗, có thể giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình truyền tải dữ liệu, nâng cao hiệu suất của mạng 5G.
Độ dẫn nhanh: GaN có tốc độ dẫn nhanh, có thể đáp ứng các yêu cầu
